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HCT802TXV - TT
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图片信息
HCT802TXV 图片
HCT802TXV
  • 制造厂家：TT (TT Electronics/BI Magnetics)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:6-SMD
  • 技术参数：MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
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HCT802TXV 技术参数详情：
  • 型号:HCT802TXV
  • 品牌:TT Electronics/BI Magnetics (TT Electronics)
  • 封装:6-SMD
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:90V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A，1.1A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-SMD，无引线
  • 供应商器件封装:6-SMD
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