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图片信息
TLV2376IDR
制造厂家:
TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:
集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-SOIC
技术参数:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
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TLV2376IDR 技术参数详情:
型号:TLV2376IDR
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:8-SOIC
类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
描述:IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
放大器类型:CMOS
电路数:2
输出类型:差分,满摆幅
压摆率:2V/s
增益带宽积:5.5 MHz
-3db 带宽:-
电流 - 输入偏置:0.3 pA
电压 - 输入补偿:40 V
电流 - 供电:815A(x2 通道)
电流 - 输出/通道:30 mA
电压 - 跨度(最小值):2.2 V
电压 - 跨度(最大值):5.5 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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