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TL062IDR - TI
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图片信息
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TL062IDR
  • 制造厂家：TI（Texas Instruments，德州仪器）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器，封装:8-SOIC
  • 技术参数：IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
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TL062IDR 技术参数详情：
  • 型号:TL062IDR
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
  • 描述:IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:J-FET
  • 电路数:2
  • 输出类型:-
  • 压摆率:3.5V/s
  • 增益带宽积:1 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:30 pA
  • 电压 - 输入补偿:3 mV
  • 电流 - 供电:200A（x2 通道）
  • 电流 - 输出/通道:20 mA
  • 电压 - 跨度（最小值）:10 V
  • 电压 - 跨度（最大值）:30 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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