REF80000B1NAJT - TI
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图片信息
REF80000B1NAJT
制造厂家:
TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电压基准,封装:20-LCCC(8.89x8.89)
技术参数:
TEMPERATURE-CONTROLLED BURIED-ZE
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REF80000B1NAJT 技术参数详情:
型号:REF80000B1NAJT
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:20-LCCC(8.89x8.89)
类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电压基准
描述:TEMPERATURE-CONTROLLED BURIED-ZE
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
参考类型:串联,隐埋式齐纳
输出类型:固定
电压 - 输出(最小值/固定):7.6V
电压 - 输出(最大值):-
电流 - 输出:-
容差:-
温度系数:0.2ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz:0.12ppmp-p
噪声 - 10Hz 至 10Hz:0.6Vrms
电压 - 输入:10V ~ 16.5V,10V ~ 42V
电流 - 供电:-
电流 - 阴极:-
工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:20-CLCC
供应商器件封装:20-LCCC(8.89x8.89)
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