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MMBZ27VALDBZR - TI
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图片信息
MMBZ27VALDBZR 图片
MMBZ27VALDBZR
  • 制造厂家：TI（Texas Instruments，德州仪器）
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:SOT-23-3
  • 技术参数：27V COMMON-ANODE ZENER DIODE WIT
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MMBZ27VALDBZR 技术参数详情：
  • 型号:MMBZ27VALDBZR
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:27V COMMON-ANODE ZENER DIODE WIT
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:2
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态（典型值）:22V
  • 电压 - 击穿（最小值）:25.65V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:39V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):900mA
  • 功率 - 峰值脉冲:35W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:CAN
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
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