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LM5109BQNGTRQ1 - TI
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图片信息
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LM5109BQNGTRQ1
  • 制造厂家：TI（Texas Instruments，德州仪器）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:8-WSON（4x4）
  • 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON
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LM5109BQNGTRQ1 技术参数详情：
  • 型号:LM5109BQNGTRQ1
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:8-WSON（4x4）
  • 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
  • 电压 - 供电:8V ~ 14V
  • 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.2V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）:108 V
  • 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-WDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:8-WSON（4x4）
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