CSD75205W1015 - TI
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图片信息
CSD75205W1015
制造厂家:
TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:6-DSBGA(1x1.5)
技术参数:
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
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CSD75205W1015 技术参数详情:
型号:CSD75205W1015
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:6-DSBGA(1x1.5)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):265pF @ 10V
功率 - 最大值:750mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-UFBGA,DSBGA
供应商器件封装:6-DSBGA(1x1.5)
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