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CSD25213W10 - TI
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图片信息
CSD25213W10 图片
CSD25213W10
  • 制造厂家：TI（Texas Instruments，德州仪器）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:4-DSBGA（1x1）
  • 技术参数：MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
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CSD25213W10 技术参数详情：
  • 型号:CSD25213W10
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:4-DSBGA（1x1）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:47 毫欧 @ 1A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:478 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:4-DSBGA（1x1）
  • 封装/外壳:4-UFBGA，DSBGA
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