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图片信息
CSD17553Q5A
制造厂家:
TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-VSONP(5x6)
技术参数:
MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
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CSD17553Q5A 技术参数详情:
型号:CSD17553Q5A
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:8-VSONP(5x6)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23.5A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):21.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3252 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-VSONP(5x6)
封装/外壳:8-PowerTDFN
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