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FDN302P - Slkor
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图片信息
FDN302P 图片
FDN302P
  • 制造厂家：Slkor (Slkormicro Semicon, 萨科微)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SOT-23
  • 技术参数：20V 2.4A 55M@4.5V,2.4A 500MW 1.5
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FDN302P 技术参数详情：
  • 型号:FDN302P
  • 品牌:Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. (Slkormicro,深圳思立微半导体有限公司)
  • 封装:SOT-23
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:20V 2.4A 55M@4.5V,2.4A 500MW 1.5
  • 系列:-
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2.4A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:780 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:500mW（Tc）
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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