M474B1G73EB0-YMA - Samsung
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图片信息
M474B1G73EB0-YMA
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
模块,8GB
技术参数:
SAMSUNG DRAM NAND
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M474B1G73EB0-YMA 技术参数详情:
三星模块型号:M474B1G73EB0-YMA
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能类别:模块
DDR:三代双倍数据率同步动态随机存储器
DIMM 类型:SODIMM
容量:8GB
内存区块组织:2R x 8
速率:1866 Mbps
工作电压:1.35 V
组件成分:(512M x 8) x 18
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