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M474A1G43EB1-CPB - Samsung
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图片信息
M474A1G43EB1-CPB 图片
M474A1G43EB1-CPB
  • 制造厂家：三星半导体（Samsung Semiconductor）
  • 类别封装：模块，8GB
  • 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
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M474A1G43EB1-CPB 技术参数详情：
  • 三星模块型号：M474A1G43EB1-CPB
  • 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
  • 功能类别：模块
  • DDR：四代双倍数据率同步动态随机存储器
  • DIMM 类型：ECC SODIMM
  • 容量：8GB
  • 内存区块组织：2R x 8
  • 速率：2133 Mbps
  • 工作电压：1.2 V
  • 组件成分：(512M x 8) x 18
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