KMQE10013M-B318 - Samsung
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图片信息
KMQE10013M-B318
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
多制层封装芯片,221FBGA
技术参数:
SAMSUNG DRAM NAND
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KMQE10013M-B318 技术参数详情:
三星芯片型号:KMQE10013M-B318
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能类别:多制层封装芯片
eStorage 密度:16 GB
eStorage 版本:嵌入式多媒体卡 5.1
DRAM 密度:16 Gb
DRAM 类型:三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
封装:221FBGA
速率:1866 Mbps
产品状态:批量生产
快速提供
KMQE10013M-B318
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KMQE10013M-B318
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