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KMFN60012M-B214 - Samsung
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图片信息
KMFN60012M-B214 图片
KMFN60012M-B214
  • 制造厂家：三星半导体（Samsung Semiconductor）
  • 类别封装：多制层封装芯片，221FBGA
  • 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
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KMFN60012M-B214 技术参数详情：
  • 三星芯片型号：KMFN60012M-B214
  • 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
  • 功能类别：多制层封装芯片
  • eStorage 密度：8 GB
  • eStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1
  • DRAM 密度：8 Gb
  • DRAM 类型：三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 封装：221FBGA
  • 速率：1866 Mbps
  • 产品状态：批量生产
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