KM5V7001DM-B621 - Samsung
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图片信息
KM5V7001DM-B621
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
多制层封装芯片,254FBGA
技术参数:
SAMSUNG DRAM NAND
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KM5V7001DM-B621 技术参数详情:
三星芯片型号:KM5V7001DM-B621
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能类别:多制层封装芯片
eStorage 密度:128 GB
eStorage 版本:UFS 2.1
DRAM 密度:32 Gb
DRAM 类型:四代超低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
封装:254FBGA
速率:3733 Mbps
产品状态:批量生产
快速提供
KM5V7001DM-B621
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