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K6T1008C2E-GL70 - Samsung
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图片信息
K6T1008C2E-GL70 图片
K6T1008C2E-GL70
  • 制造厂家：三星半导体（Samsung Semiconductor）
  • 类别封装：SRAM存储器IC，出厂封装
  • 技术参数：0
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K6T1008C2E-GL70 技术参数详情：
  • 三星半导体完整型号：K6T1008C2E-GL70
  • 存储器结构：1M×8
  • 速度：70ns
  • 电源电压：5V
  • 包装：SOP
  • 环保标准：不符合RoHS标准
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