K6R4008V1D-TC10 - Samsung
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图片信息
K6R4008V1D-TC10
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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K6R4008V1D-TC10 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R4008V1D-TC10
存储器结构:40M×8
速度:100ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP
环保标准:
快速提供
K6R4008V1D-TC10
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