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K4T51163QN-BI - Samsung
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图片信息
K4T51163QN-BI 图片
K4T51163QN-BI
  • 制造厂家：三星半导体（Samsung Semiconductor）
  • 类别封装：双倍数据率同步动态随机存储器，84FBGA
  • 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
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K4T51163QN-BI 技术参数详情：
  • 三星芯片型号：K4T51163QN-BI
  • 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
  • 功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：512Mb
  • 架构：32M x 16
  • 速率：1066 Mbps
  • 工作电压：1.8 V
  • 工作温度：-40 ~ 95 °C
  • 封装：84FBGA
  • 产品状态：批量生产
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