K4S281632D-TC1H - Samsung
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图片信息
K4S281632D-TC1H
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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K4S281632D-TC1H 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S281632D-TC1H
存储器结构:8Mx16
速度:6ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP-II
环保标准:
快速提供
K4S281632D-TC1H
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