K4H511638CUCB3 - Samsung
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图片信息
K4H511638CUCB3
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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K4H511638CUCB3 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4H511638CUCB3
存储器结构:512M
速度:0.7ns
电源电压:2.5V
包装:TSOPⅡ
环保标准:符合RoHS标准
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K4H511638CUCB3
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