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K4B8G0846D-BYNB - Samsung
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图片信息
K4B8G0846D-BYNB 图片
K4B8G0846D-BYNB
  • 制造厂家：三星半导体（Samsung Semiconductor）
  • 类别封装：双倍数据率同步动态随机存储器，78FBGA
  • 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
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K4B8G0846D-BYNB 技术参数详情：
  • 三星芯片型号：K4B8G0846D-BYNB
  • 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
  • 功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：8Gb
  • 架构：1G x 8
  • 速率：2133 Mbps
  • 工作电压：1.35 V
  • 工作温度：0 ~ 85 °C
  • 封装：78FBGA
  • 产品状态：批量生产
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