K4B1G1646E-HCF8 - Samsung
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图片信息
K4B1G1646E-HCF8
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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K4B1G1646E-HCF8 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4B1G1646E-HCF8
存储器结构:64Mx16
速度:20ns
电源电压:1.5V
包装:FBGA
环保标准:
快速提供
K4B1G1646E-HCF8
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