CL43B226KPJNNNF - Samsung
Samsung代理商
全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
首页
产品中心
典型品牌
热门器件
行业新闻
关于我们
联系我们
热门关注品牌:
InterFET
SkyMirr
SkyHigh
iDTRONIC
ept
CoreHW
图片信息
CL43B226KPJNNNF
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
陶瓷电容器,1812
技术参数:
CAP CER 22UF 10V 10% X7R 1812
需要CL43B226KPJNNNF的报价? 那就马上联系我们吧!
最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
CL43B226KPJNNNF 技术参数详情:
原厂标准完整型号: CL43B226KPJNNNF
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能总体简述: CAP CER 22UF 10V 10% X7R 1812
系列: CL
电容: 22F
容差: ±10%
电压 - 额定: 10V
温度系数: X7R
安装类型: 表面贴装,MLCC
工作温度: -55°C ~ 125°C
应用: 通用
等级: -
封装/外壳: 1812(4532 公制)
大小/尺寸: 0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
高度 - 安装(最大值): -
厚度(最大值): 0.106"(2.70mm)
引线间距: -
特性: -
引线形式: -
快速提供
CL43B226KPJNNNF
专业且全面的报价,
Samsung代理
货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多Samsung产品:
SPMWH122C7Q7SHV0SB
光电器件 > 白色 LED 照明
CIM10N121NC
铁氧体磁珠和芯片
CL31C680JHFNNNE
陶瓷电容器
SPMWHT541ML5XAVMS0
光电器件 > 白色 LED 照明
K4A8G085WB-BCRC
双倍数据率同步动态随机存储器
SPHWW1HDND27YHU33Q
光电器件 > COB,引擎,模块,灯条
SPHWHTL3D305E6TPJ2
光电器件 > 白色 LED 照明
RK102PJ220CS
电阻器 > 电阻器网络,阵列
SPHWHAHDNK25YZQ3D1
光电器件 > COB,引擎,模块,灯条
CL32A106KBJNNNE
陶瓷电容器
8604144002
标签,标志,护栏,标识 > 标签,贴纸,贴标 - 空白
VSRAM-10-50-50-06-N
连接器,互连器件 > 背板连接器 > 专用
45J40RE
电阻器 > 通孔式电阻器
DSC400-1111Q0110KE1
引脚可配置-可选择振荡器
83301268
电缆,电线 - 管理 > 保护软管,实心管,衬套
Samsung公司授权代理商
Tagore
DIT
FTDI
CSR
ept
CL43B226KPJNNNF
(制造商:Samsung) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台