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CL31B475KPHNNNE - Samsung
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图片信息
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CL31B475KPHNNNE
  • 制造厂家：三星半导体（Samsung Semiconductor）
  • 类别封装：陶瓷电容器，1206
  • 技术参数：CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
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CL31B475KPHNNNE 技术参数详情：
  • 原厂标准完整型号: CL31B475KPHNNNE
  • 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
  • 功能总体简述: CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
  • 系列: CL
  • 电容: 4.7F
  • 容差: ±10%
  • 电压 - 额定: 10V
  • 温度系数: X7R
  • 安装类型: 表面贴装，MLCC
  • 工作温度: -55°C ~ 125°C
  • 应用: 通用
  • 等级: -
  • 封装/外壳: 1206（3216 公制）
  • 大小/尺寸: 0.126" 长 x 0.063" 宽（3.20mm x 1.60mm）
  • 高度 - 安装（最大值）: -
  • 厚度（最大值）: 0.071"（1.80mm）
  • 引线间距: -
  • 特性: -
  • 引线形式: -
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