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Samsung产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
CL21B822KB6SFNC 图片
  • 制造厂家:三星半导体(Samsung Semiconductor)
  • 类别封装:陶瓷电容器,805
  • 技术参数:CAP CER 8200PF 50V 10% X7R 0805
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CL21B822KB6SFNC 技术参数详情:
  • 原厂标准完整型号: CL21B822KB6SFNC
  • 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能总体简述: CAP CER 8200PF 50V 10% X7R 0805
  • 系列: CL
  • 电容: 8200pF
  • 容差: ±10%
  • 电压 - 额定: 50V
  • 温度系数: X7R
  • 安装类型: 表面贴装,MLCC
  • 工作温度: -55°C ~ 125°C
  • 应用: Boardflex 敏感
  • 等级: -
  • 封装/外壳: 0805(2012 公制)
  • 大小/尺寸: 0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值): -
  • 厚度(最大值): 0.028"(0.70mm)
  • 引线间距: -
  • 特性: 软端子
  • 引线形式: -
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