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CIB21P330NE - Samsung
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图片信息
CIB21P330NE 图片
CIB21P330NE
  • 制造厂家：三星半导体（Samsung Semiconductor）
  • 类别封装：滤波器 > 铁氧体磁珠和芯片，封装:
  • 技术参数：FERRITE BEAD 33 OHM 0805 1LN
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CIB21P330NE 技术参数详情：
  • 型号:CIB21P330NE
  • 品牌:Samsung Semiconductor, Inc. (Samsung,三星半导体芯片)
  • 封装:
  • 类目:滤波器 > 铁氧体磁珠和芯片
  • 描述:FERRITE BEAD 33 OHM 0805 1LN
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 滤波器类型:-
  • 线路数:1
  • 不同频率时阻抗:33 Ohms @ 100 MHz
  • 额定电流（最大）:1.5A
  • DC 电阻(DCR)（最大值）:50 毫欧
  • 等级:-
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C
  • 封装/外壳:0805（2012 公制）
  • 安装类型:表面贴装型
  • 高度（最大值）:0.043（1.10mm）
  • 大小 / 尺寸:0.079 长 x 0.049 宽（2.00mm x 1.25mm）
  • 特性:-
  • 快速提供CIB21P330NE专业且全面的报价，Samsung代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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