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VNH9013YTR - ST
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图片信息
VNH9013YTR 图片
VNH9013YTR
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:PowerSSO-36 TP
  • 技术参数：MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
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VNH9013YTR 技术参数详情：
  • 型号:VNH9013YTR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerSSO-36 TP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:4 N 沟道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:80V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 6A，10V，6 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40nC @ 10V，45nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1750pF @ 25V，2600pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:36-PowerBFSOP（0.295，7.50mm 宽）
  • 供应商器件封装:PowerSSO-36 TP
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