TSV321IDT - ST
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图片信息
TSV321IDT
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-SOIC
技术参数:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
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TSV321IDT 技术参数详情:
型号:TSV321IDT
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC
类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
描述:IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
放大器类型:标准(通用)
电路数:1
输出类型:满摆幅
压摆率:0.6V/s
增益带宽积:1.4 MHz
-3db 带宽:-
电流 - 输入偏置:70 nA
电压 - 输入补偿:200 V
电流 - 供电:500A
电流 - 输出/通道:80 mA
电压 - 跨度(最小值):2.5 V
电压 - 跨度(最大值):6 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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