TSC2012HYDT - ST
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图片信息
TSC2012HYDT
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-SOIC
技术参数:
IC CURRENT SENSE 1 CIRCUIT 8SOIC
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TSC2012HYDT 技术参数详情:
型号:TSC2012HYDT
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC
类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
描述:IC CURRENT SENSE 1 CIRCUIT 8SOIC
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
放大器类型:电流检测
电路数:1
输出类型:推挽式
压摆率:3.9V/s
增益带宽积:-
-3db 带宽:750 kHz
电流 - 输入偏置:35 A
电压 - 输入补偿:500 V
电流 - 供电:1.5mA
电流 - 输出/通道:-
电压 - 跨度(最小值):2.7 V
电压 - 跨度(最大值):5.5 V
工作温度:-40°C ~ 150°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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