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图片信息
TS912BIDT
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-SOIC
技术参数:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
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TS912BIDT 技术参数详情:
型号:TS912BIDT
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC
类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
描述:IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
放大器类型:CMOS
电路数:2
输出类型:满摆幅
压摆率:1.3V/s
增益带宽积:1.4 MHz
-3db 带宽:-
电流 - 输入偏置:1 pA
电压 - 输入补偿:2 mV
电流 - 供电:230A(x2 通道)
电流 - 输出/通道:75 mA
电压 - 跨度(最小值):2.7 V
电压 - 跨度(最大值):16 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
等级:汽车级
资质:AEC-Q100
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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