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THBT20011DRL - ST
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图片信息
THBT20011DRL 图片
THBT20011DRL
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > 晶闸管，封装:8-SOIC
  • 技术参数：THYRISTOR 180V 30A 8-SOIC
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THBT20011DRL 技术参数详情：
  • 型号:THBT20011DRL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > 晶闸管
  • 描述:THYRISTOR 180V 30A 8-SOIC
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 导通:290V
  • 电压 - 断态:180V
  • 电压 - 通态:-
  • 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
  • 电流 - 保持 (Ih):150 mA
  • 元件数:3
  • 电容:80pF
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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