STU5N80K5 - ST
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图片信息
STU5N80K5
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:I-PAK
技术参数:
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
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STU5N80K5 技术参数详情:
制造商产品型号:STU5N80K5
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:MDmesh K5
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):800V
25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.75 欧姆 @ 2A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 100A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):5nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):177pF @ 100V
FET功能:-
功率耗散(最大值):60W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:I-PAK
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