STT4P3LLH6 - ST
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图片信息
STT4P3LLH6
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:SOT-23-6
技术参数:
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
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STT4P3LLH6 技术参数详情:
型号:STT4P3LLH6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:SOT-23-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):56 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):639 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-23-6
封装/外壳:SOT-23-6
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