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STS1DNC45 - ST
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图片信息
STS1DNC45 图片
STS1DNC45
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SOIC
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
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STS1DNC45 技术参数详情：
  • 型号:STS1DNC45
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:最后售卖
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:450V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.6W
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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