STPSC4H065DLF - ST
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图片信息
STPSC4H065DLF
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:PowerFlat(8x8)HV
技术参数:
DIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HV
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STPSC4H065DLF 技术参数详情:
型号:STPSC4H065DLF
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat(8x8)HV
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
描述:DIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HV
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
电流 - 平均整流 (Io):4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 4 A
速度:零恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr):0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
不同Vr、F 时电容:245pF @ 0V,1MHz
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:-
供应商器件封装:PowerFlat(8x8)HV
工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC4H065DLF
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