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STPSC30G12WL - ST
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图片信息
STPSC30G12WL 图片
STPSC30G12WL
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管，封装:DO-247 LL
  • 技术参数：1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
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STPSC30G12WL 技术参数详情：
  • 型号:STPSC30G12WL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-247 LL
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):30A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 30 A
  • 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:225 A @ 1200 V
  • 不同Vr、F 时电容:2272pF @ 0V，1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-2
  • 供应商器件封装:DO-247 LL
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
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