STPSC30G065L2Y - ST
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图片信息
STPSC30G065L2Y
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:HU3PAK
技术参数:
650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
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STPSC30G065L2Y 技术参数详情:
型号:STPSC30G065L2Y
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:HU3PAK
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
描述:650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
电流 - 平均整流 (Io):30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 30 A
速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr):0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300 A @ 650 V
不同Vr、F 时电容:1890pF @ 0V, 1MHz
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
供应商器件封装:HU3PAK
工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
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