STL7DN6LF3 - ST
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图片信息
STL7DN6LF3
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:PowerFlat(5x6)
技术参数:
MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
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STL7DN6LF3 技术参数详情:
型号:STL7DN6LF3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat(5x6)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):43 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):432pF @ 25V
功率 - 最大值:52W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:PowerFlat(5x6)
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