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STL100N12F7 - ST
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图片信息
STL100N12F7 图片
STL100N12F7
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerFlat（5x6）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
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STL100N12F7 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：STL100N12F7
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：STripFET F7
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：120V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3300pF @ 60V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：136W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerFlat（5x6）
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