STI19NM65N - ST
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图片信息
STI19NM65N
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:I2PAK
技术参数:
MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
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STI19NM65N 技术参数详情:
制造商产品型号:STI19NM65N
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:MDmesh II
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650V
25°C时电流-连续漏极(Id):15.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):270 毫欧 @ 7.75A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):55nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1900pF @ 50V
FET功能:-
功率耗散(最大值):150W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:I2PAK
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