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STI11NM80 - ST
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图片信息
STI11NM80 图片
STI11NM80
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：I2PAK（TO-262）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
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STI11NM80 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：STI11NM80
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：MDmesh
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：800V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：43.6nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1630pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
  • 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：I2PAK（TO-262）
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