STH52N10LF3-2AG - ST
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图片信息
STH52N10LF3-2AG
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:H2Pak-2
技术参数:
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
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STH52N10LF3-2AG 技术参数详情:
制造商产品型号:STH52N10LF3-2AG
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:STripFET F3
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):52A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 26A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18.5nC @ 5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1900pF @ 400V
FET功能:-
功率耗散(最大值):110W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:H2Pak-2
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