射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
STGWT80H65FB - ST
ST代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
ST产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
STGWT80H65FB 图片
STGWT80H65FB
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-3P
  • 技术参数：IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
  • 需要STGWT80H65FB的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
STGWT80H65FB 技术参数详情：
  • 型号:STGWT80H65FB
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3P
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
  • 功率 - 最大值:469 W
  • 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:414 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
  • 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装:TO-3P
  • 快速提供STGWT80H65FB专业且全面的报价，ST代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
ST品牌LOGO
更多ST产品：
ST公司授权代理商
Essentra
Dow-Key
Dresden
Yenyo
Taoglas
STGWT80H65FB（制造商：ST） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台