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STGWT80H65DFB - ST
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图片信息
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STGWT80H65DFB
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-3P
  • 技术参数：IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
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STGWT80H65DFB 技术参数详情：
  • 型号:STGWT80H65DFB
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3P
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
  • 功率 - 最大值:469 W
  • 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:414 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
  • 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):85 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装:TO-3P
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