STGWA50M65DF2AG - ST
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图片信息
STGWA50M65DF2AG
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-247 长引线
技术参数:
IGBT TRENCH FS 650V 119A TO247
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STGWA50M65DF2AG 技术参数详情:
型号:STGWA50M65DF2AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247 长引线
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT TRENCH FS 650V 119A TO247
包装:管件
产品状态:在售
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):119 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):207 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A
功率 - 最大值:576 W
开关能量:1.4mJ(导通),1.8mJ(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:147 nC
25°C 时 Td(开/关)值:29.8ns/143ns
测试条件:400V,50A,6.8 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):121.6 ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247 长引线
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