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ST产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
STGWA30H60DFB 图片
  • 制造厂家:ST(STMicroelectronics,意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT
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STGWA30H60DFB 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STGWA30H60DFB
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IGBT
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:HB
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):120A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:260W
  • 开关能量:383J(开),293J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:149nC
  • 25°C时Td(开/关)值:37ns/146ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):53ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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