STGW40H65DFB-4 - ST
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图片信息
STGW40H65DFB-4
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-247-4
技术参数:
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
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STGW40H65DFB-4 技术参数详情:
型号:STGW40H65DFB-4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-4
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
包装:管件
产品状态:停产
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
功率 - 最大值:283 W
开关能量:200J(导通),410J(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:210 nC
25°C 时 Td(开/关)值:40ns/142ns
测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):62 ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-4
供应商器件封装:TO-247-4
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