STGW10M65DF2 - ST
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图片信息
STGW10M65DF2
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-247-3
技术参数:
IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-247-3
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STGW10M65DF2 技术参数详情:
型号:STGW10M65DF2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-247-3
包装:管件
产品状态:停产
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
功率 - 最大值:115 W
开关能量:120J(导通),270J(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:28 nC
25°C 时 Td(开/关)值:19ns/91ns
测试条件:400V,10A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):96 ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247-3
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