STGSH50M120D - ST
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图片信息
STGSH50M120D
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 阵列,封装:9-ACEPACK SMIT
技术参数:
IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
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STGSH50M120D 技术参数详情:
型号:STGSH50M120D
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:9-ACEPACK SMIT
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 阵列
描述:IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
IGBT 类型:-
配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):69 A
功率 - 最大值:536 W
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):25 A
不同Vce 时输入电容 (Cies):3152 pF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:9-PowerSMD
供应商器件封装:9-ACEPACK SMIT
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