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ST产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
STGFL6NC60DI 图片
  • 制造厂家:ST(STMicroelectronics,意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3 整包
  • 技术参数:IGBT 600V 7A 22W TO220FP
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STGFL6NC60DI 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STGFL6NC60DI
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IGBT 600V 7A 22W TO220FP
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:PowerMESH
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):7A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):18A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,3A
  • 功率-最大值:22W
  • 开关能量:32J(开),24J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:12nC
  • 25°C时Td(开/关)值:6.7ns/46ns
  • 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):23ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-220-3 整包
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